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CHIP-NOVA原位透射電鏡力-熱系統(tǒng)解決方案及應(yīng)用案例(一)

更新時間:2022-05-12      點擊次數(shù):4055

力-熱系統(tǒng)


系統(tǒng)組成

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圖1


技術(shù)指標(biāo)
力-熱樣品臺
高精度力學(xué)傳感芯片

加熱芯片

高精度控溫模塊
三維運動控制模塊

力學(xué)數(shù)據(jù)采集及計算模塊

力學(xué)測試:壓縮、拉伸、恒定力、恒位移


設(shè)備工作流程


2.jpg

圖2

圖2視頻


測試前,利用FIB將樣品焊接加熱芯片端,將金剛石焊接在力學(xué)傳感端,力學(xué)測試過程中,加熱芯片跟隨運動控制模塊向前運動,并力學(xué)傳感芯片接觸受力,樣品在加熱條件下發(fā)生壓縮或拉伸。



力學(xué)傳感器


圖片1.png

圖3


技術(shù)指標(biāo)

20uN,k=7(nN/nm)

85uN, k=29(nN/nm)
150uN,k=50(nN/nm)
500uN, k=169(nN/nm)
1000uN, k=400(nN/nm)


運動控制模塊

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圖4


技術(shù)指標(biāo)
運動控制:粗調(diào)+細調(diào)
控制方式:xyz三軸定量運動控制
粗調(diào)量程:±2 mm(精度100nm)
細調(diào)量程:X/8 μm,Y、Z/10 μm(精度0.2nm)
力學(xué)測試精度:優(yōu)于10nN
支持實時獲取力-位移曲線
力學(xué)測試模式:壓縮、拉伸、恒定力、恒位移


高溫加熱模塊

4.jpg

圖5


技術(shù)指標(biāo)

兩電極反饋控溫

絕對溫標(biāo)設(shè)計,消除系統(tǒng)誤差
RT-400℃, RT-800℃(任選)
控溫精度:0.01℃
溫度均勻性:優(yōu)于99.5%
支持FIB制樣

芯片可重復(fù)使用


技術(shù)參數(shù)


項目      

    力學(xué)系列    

最大載荷

1000μN

力學(xué)測量精度

優(yōu)于10 nN(在40 μN最大載荷時)

力學(xué)測試模式

壓縮、拉伸、恒定力、恒位移

(可實時獲取應(yīng)力-應(yīng)變曲線)

三維運動

粗調(diào)范圍

±2 mm

粗調(diào)精度

100nm

細調(diào)

X/8 μm,Y、Z/10 μm

細調(diào)精度

0.2nm

溫度范圍

RT-400 ℃、RT-800 ℃(任選)

控溫方式

兩電極反饋控溫

溫度穩(wěn)定性

≤0.01 ℃

溫度均勻性

>99.5%

適用電鏡

FEI, JEOL, Hitachi


優(yōu)勢
力學(xué)精度高
可實現(xiàn)800℃高溫力學(xué)測試
可實時獲取應(yīng)力應(yīng)變曲線

三軸定量運動控制,定位精度高

支持壓縮、拉伸、恒定力、恒位移多種力學(xué)測量模式



應(yīng)用案例-鎢納米柱

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圖6 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變過程中,彈性形變量與受力的關(guān)系


圖6視頻 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變過程中,彈性形變量與受力的關(guān)系


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圖7 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變和塑性形變過程


圖7視頻 鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變和塑性形變過程



TEM原位設(shè)備周邊產(chǎn)品及服務(wù)

圖片24.png


真空存桿儀
真空≤10-4 hPa
最多可支持10路存桿

圖片25.png


高真空檢漏儀

真空≤10-6 hPa

樣品預(yù)抽,保證電鏡安全


12.jpg

●原位樣品桿定制   ●MEMS芯片定制   ●MEMS工藝代加工  ●原位透射電鏡測試   ●透射電鏡樣品桿維修


科研成果


圖片26.png

Applied Catalysis B: Environmental, 2021, 284: 119743.


圖片27.jpg

Small Methods, 2021, 5(7): 2001234


圖片28.png

Nano Research, 2021, 14(8): 2805-2809.


圖片29.png

Applied Catalysis B: Environmental, 2022, 307: 121164.






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