我們的優(yōu)勢(shì)

業(yè)界最高分辨率

1．MEMS加工工藝，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10nm。

2．芯片封裝采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹(shù)脂外封雙保險(xiǎn)方式，使芯片間的夾層最薄僅約100~200nm，超薄夾層大幅減少對(duì)電子束的干擾，可清晰觀(guān)察樣品的原子排列情況，液相環(huán)境可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨。

3．經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的芯片視窗形狀，可避免氮化硅膜鼓起導(dǎo)致液層增厚而影響分辨率。

高安全性

1．市面常見(jiàn)的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約，只能通過(guò)液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀(guān)察窗里并無(wú)真實(shí)流量流速控制。

2．采用納流控技術(shù)，通過(guò)壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量?jī)H有微升級(jí)別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。

多場(chǎng)耦合技術(shù)

可在液相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。

智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件，全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。

2．全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實(shí)驗(yàn)效率。

團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)

1．團(tuán)隊(duì)帶頭人在原位液相TEM發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨(dú)立設(shè)計(jì)原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項(xiàng)芯片patent。

3．團(tuán)隊(duì)20余人從事原位液相TEM研究，可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)支持。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例

(a, b) TEM images of CeO2 and MoO3–CeOx;

(c) elemental distributions of Mo, Ce, and O in MoO3–CeOx;

(d, e) HRTEM images of MoO3–CeOx and size distribution of MoO3;

(f) HRTEM image and FFT pattern of the CeOx support

CeOx-supported monodispersed MoO3 clusters for high-efficiency electrochemical nitrogen reduction under

ambient condition

Journal of Energy Chemistry 56 (2021) 186-192.

In situ atomic resolution HRTEM observation on the behaviors of sulfobetaine molecules at the solid-liquid interface under external electric field and the formation of the waterproof layer around the

negative electrode surface.

Controlling Interfacial Structural Evolution in Aqueous Electrolyte via Anti-Electrolytic Zwitterionic Waterproofing.

Adv. Funct. Mater. 2022, 2207140.

SAED patterns of NiS2/PtNi NWs (a) and Ni3S2/PtNi NWs (d),

high-resolution HAADF–STEM images of NiS2/PtNi NWs heterostructures (b, c) and Ni3S2/PtNi NWs heterostructures (e, f)

Microstrain Engineered NixS2/PtNi Porous Nanowires for Boosting Hydrogen Evolution Activity

Energy Fuels 2021, 35, (8) 6928–6934.

Comparative illustration of graphite layers and atomic channels. Schematic illustration of (a) typical Li+ intercalation in graphite layers and (b) superdense Li diffusion in atomic channels.

Efficient diffusion of superdense lithium via atomic channels for dendrite-free lithium–metal batteries

Energy & Environmental Science 2022, 15 (1), 196-205.