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簡(jiǎn)要描述：透射電鏡力電原位系統(tǒng)通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨電場(chǎng)、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2023-12-27訪 問(wèn) 量： 1970產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
力學(xué)性能
1．高精度壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)，納米級(jí)別精度數(shù)字化精確定位。
2．可進(jìn)行壓縮、拉伸、彎曲等微觀力學(xué)性能測(cè)試。
3．nN級(jí)力學(xué)測(cè)量噪音。
4．具備連續(xù)的載荷-位移-時(shí)間數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)自動(dòng)收集功能。
5．具備恒定載荷、恒定位移、循環(huán)加載控制功能，適用于材料的蠕變特性、應(yīng)力松弛、疲勞性能研究。
優(yōu)異的電學(xué)性能
1．芯片表面的保護(hù)性涂層保證電學(xué)測(cè)量的低噪音和精確性，電流測(cè)量精度可達(dá)皮安級(jí)。
2．MEMS微加工特殊設(shè)計(jì)，電場(chǎng)和力學(xué)加載同時(shí)進(jìn)行，相互獨(dú)立控制。
智能化軟件
1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制納米探針運(yùn)動(dòng)。
2．自動(dòng)測(cè)量載荷-位移數(shù)據(jù)。
| 類別 | 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
| 基本參數(shù) | 桿身材質(zhì) | 高強(qiáng)度鈦合金 |
| 控制方式 | 高精度壓電陶瓷 | |
| 傾轉(zhuǎn)角 | α≥±20°，傾轉(zhuǎn)分辨率＜0.1°（實(shí)際范圍取決于透射電鏡和極靴型號(hào)） | |
| 適用電鏡 | Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi | |
| 適用極靴 | ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP 適用極靴 | |
| (HR)TEM/STEM | 支持 | |
| (HR)EDS/EELS/SAED | 支持 |
鎢納米柱原位力學(xué)壓縮過(guò)程
鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變過(guò)程中，彈性形變和塑性形變過(guò)程強(qiáng)度和塑性是結(jié)構(gòu)材料應(yīng)用的關(guān)鍵特征，位錯(cuò)在調(diào)控材料強(qiáng)度和塑性的過(guò)程中扮演了重要角色，一般來(lái)說(shuō)，位錯(cuò)滑移越難，材料的強(qiáng)度就越大，而第二相常用來(lái)阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)以提高材料強(qiáng)度。例如，陶瓷相可以用于金屬?gòu)?qiáng)化，因?yàn)榛w與第二相之間彈性模量的巨大差異和嚴(yán)重的界面失配能夠起到金屬材料強(qiáng)化的作用，遺憾的是硬的第二相一般是在犧牲延展性的條件下實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)化作用。此外，界面處嚴(yán)重的位錯(cuò)塞積可能會(huì)導(dǎo)致局部的應(yīng)力集中，導(dǎo)致材料在服役過(guò)程中突然失效。從本質(zhì)上講，既需要第二相阻止位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)，還要一定程度上兼容位錯(cuò)滑移的可塑性。通過(guò)原位力學(xué)測(cè)試，可以更方便研究材料界面應(yīng)變場(chǎng)變化以達(dá)到優(yōu)化復(fù)合材料的強(qiáng)度和塑性的目的。
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