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透射電鏡液體光學(xué)原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室，通過樣品臺(tái)內(nèi)置的光纖將光作為外場(chǎng)條件搭載其上，通過MEMS芯片和光纖引入的光源對(duì)樣品施加光場(chǎng)刺激條件，在進(jìn)行光學(xué)性質(zhì)測(cè)量的同時(shí)，結(jié)合使用EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在液氛環(huán)境中隨光場(chǎng)變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。實(shí)驗(yàn)中，樣品被密封在超薄...

透射電子顯微鏡是提供在較高時(shí)間分辨率下得到原子級(jí)空間分辨率的實(shí)驗(yàn)手段。透射電鏡力電原位系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿內(nèi)加裝掃描探針控制單元，通過探針對(duì)單個(gè)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行操縱和電學(xué)測(cè)量，并可在電學(xué)測(cè)量的同時(shí)，動(dòng)態(tài)、高分辨地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征。本公司提供的透射電鏡力電原位系統(tǒng)是通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真...

若TEM樣品桿長(zhǎng)期暴露于大氣，空氣中水汽及殘留污染物會(huì)附著于樣品桿表面。當(dāng)樣品桿重新安裝樣品并插入TEM中時(shí)，會(huì)發(fā)生：1.樣品桿表面(包括桿內(nèi)外表面)殘存水汽緩慢地釋放，大大延長(zhǎng)了TEM抽真空時(shí)間(由于原位TEM樣品桿內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，內(nèi)表面積大大增加，其進(jìn)入TEM后抽真空延時(shí)現(xiàn)象尤甚)；2.殘留污染物會(huì)污染待觀察樣品，甚至?xí)廴綯EM真空腔室及內(nèi)部極靴、探測(cè)器等等。高真空存桿儀的極限真空度為10-6mBar(以10桿型號(hào)為例，用戶可定制4桿、6桿等不同型號(hào))，為樣品桿提供高真空...

材料的宏觀性能往往與其本身的成分、結(jié)構(gòu)以及晶體缺陷中原子的位置等密切相關(guān)，在電子顯微鏡下觀察微觀結(jié)構(gòu)離不開樣品桿或樣品臺(tái)。樣品桿的重要性還在于它是要插側(cè)入式的樣品放置在一個(gè)較長(zhǎng)的金屬入物鏡，色差又與物鏡性能相關(guān)聯(lián)，這也就桿的*端，金屬通常是黃銅或不銹鋼，沿著使樣品桿與TEM的分辨率聯(lián)系在一起。透射電鏡4孔樣品桿可將最多4個(gè)樣品同時(shí)置入透射電鏡中，與市面常見的3孔樣品桿相比，大幅提高透射電鏡的使用效率。全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及超高精度的旋鈕換樣方式，幫助降低漂移率，提高成像質(zhì)量。透射電...

CreateWorld-LeadingIn-SituElectronMicroscopySolutions公司簡(jiǎn)介CHIPNOVA（超新芯）是早期原位芯片技術(shù)開發(fā)研究者、國(guó)家高層次引進(jìn)人才創(chuàng)辦的高科技企業(yè)，致力于為客戶提供全面的原位表征方案，并將相關(guān)技術(shù)應(yīng)用服務(wù)于民用領(lǐng)域。CHIPNOVA擁有MEMS芯片制造和原位電鏡方面的資深團(tuán)隊(duì)，10余年來產(chǎn)品和技術(shù)不斷迭代提升，目前已涉及原位芯片、生化醫(yī)療芯片、集成傳感芯片等。其中原位芯片在材料、催化、能源、環(huán)境、化學(xué)、生物等領(lǐng)域廣泛應(yīng)...