我們的優(yōu)勢

高分辨率

MEMS微加工工藝，使電化學(xué)芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10nm，極大減少了對電子束的干擾，液相環(huán)境可達(dá)到納米級(jí)分辨率。

高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實(shí)流量流速控制。

2．采用納流控技術(shù)，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級(jí)別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。

多場耦合技術(shù)

可在液相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場耦合。

智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件，全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。

2．全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實(shí)驗(yàn)效率。

團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢

1．團(tuán)隊(duì)帶頭人在原位液相發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨(dú)立設(shè)計(jì)原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項(xiàng)芯片patent。

3．團(tuán)隊(duì)20余人從事原位液相研究，可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)支持。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例

Electrochemical dissolution

Electrochemical deposition